电子束曝光是利用某些高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的，与光学曝光对应，其特点是将聚焦电子束代替光照以实现抗蚀剂（光刻胶）的曝光（改性）。

在实验室广泛应用的电子束曝光机为矢量扫描高斯型系统，即：电子束斑为高斯线型，工作时采用矢量扫描方式。电子束曝光无需掩膜，可实现低至10nm线宽图形，是目前纳米技术研究中非常重要的纳米图形生成手段。

技术指标：

Acceleratingvoltage： 25/50 kV

Minimum line width： 10 nm （50 kV･5th）

Overlay Accuracy： 40 nm

Fieldstitching Accuracy: 40 nm

Exposurerange： 直径75 mm

Scan speed：12 MHz to 250 Hz