HS-L1拥有国家发明专利(专利号:,ZL,2003,1, ).采用微波反射光电导衰退发准确分析测量半导体硅材料的少子寿命,实现对于材料的质量合格检测,并对太阳能电池生产工艺进行有效的控制。,
为了满足国内多晶硅市场发展的需要,上海赫爽于08年5月设计研发了新型的少子寿命分析仪.较旧歀的HS-L1,新型HS-L1更具有体积小,功耗低的特点.新HS-L1采用国际知名厂商作为激光器的供应商,保证了设备的稳定性和测试精度.,
性能指标,参数,
概况,测试仪型号,HS-L1,
测试原理,微波反射光电导衰退法,
测试范围,单片或者块状硅材料,,
扩散形成P-N后的太阳电池(无金属电极),
测试仪的功能,测试相关材料的少数载流子寿命,
测试精度,少子寿命,1us~1ms,
电阻率范围,≥ Ωcm,
测试速度,≤2,Seconds/point,
测试不重复度,≤±2%,
环境要求,供电要求,220VAC±10%,20A,50HZ单相电,
使用环境,25℃±10℃,相对湿度≤80％,
标准配置,电脑(含主机,显示器,鼠键),微波源,激光电源,操作软件等