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电池的自放电现象是指电池处于开路搁置时，其容量自发损耗的现象，也称为荷电保持能力。自放电一般可分为两种 ：可逆自放电和不可逆自放电。损失容量能够可逆得到补偿的为可逆自放电，其原理跟电池正常放电反应相似。损失容量无法得到补偿的 自放电为不可逆自放电，其主要原因是电池内部发生了不可逆反应 ，包括正极与电解液反应、负极与电解液反应、电解液自带杂质引起的反应，以及制成时所携带杂质造成的微短路引起的不可逆反应等。自放电的影响因素如下文所述。1 正极材料正极材料的影响主要是正极材料过渡金属及杂质在负极析出导致内短路，从而增加锂电池的自放电。Yah-Mei Teng等人研究了两种LiFePO4正极材料的物理及电化学性能。研究发现原材料中以及充放电过程中产生铁杂质含量高的电池其自放电率高，稳定性差，原因是铁在负极逐渐还原析出，刺穿隔膜，导致电池内短路，从而造成较高的自放电。2 负极材料负极材料对自放电的影响主要是由于负极材料与电解液发生的不可逆反应。早在2003年，Aurbach等人就提出了电解液被还原而释放出气体，使石墨部分表面暴露在电解液中。在充放电过程中，锂离子嵌人和脱出时，石墨层状结构容易遭到破坏，从而导致较大自放电率。3 电解液电解液的影响主要表现为 ：电解液或杂质对负极表面的腐蚀；电极材料在电解液中的溶解；电极被电解液分解的不溶固体或气体覆盖，形成钝化层等。目前，大量科研工作者致力于开发新的添加剂来抑制电解液对自放电的影响。Jun Liu等人MCN111电池电解液中添加VEC等添加剂，发现电池高温循环性能提高，自放电率普遍下降。其原因是这些添加剂可以改善SEI膜，从而保护电池负极。

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在面对必须延长电池寿命的需求时，很多系统设计师认为单个芯片所消耗的功耗比两个芯片要少。原因似乎很简单：芯片间通信比单个芯片工作消耗更多的功耗，两个芯片上有更多的晶体管，因此要比有相同功能的单芯片有更多的漏电流。但功耗节省技术却给这种传统观点迎头一击。

DSp设计师将更多的功能，如加速器、通信模块和网络外设集成到DSp芯片上，使芯片对工程师更为有用。但这种更强大的芯片在完成简单的内务管理或监控任务时，会消耗比该任务所需更多的功耗。在多种情况下，设计师无法只启用DSp芯片中所需部分的功能。

在某些应用中，微控制器(MCU)可执行相同的系统监控任务，而比DSp消耗更少的功耗。所以，双芯片的架构：DSp及MCU也是可行的。因此，使用一个低功耗DSp作为主处理器，另一个低功耗MCU作为系统监控器，就可延长单个DSp完成相同任务所消耗的电池寿命。为了帮助节省功耗，工程师在选择DSp时要考虑以下因素：

寻找较大容量的片上内存。DSp访问芯片外存储器时总会消耗更多功耗。外部DRAM存储要恒定的功耗，这会消耗电池的电能。选择一个可启动和关闭外设的DSp。有一些DSp可对不活动的片上外设自动断电，这种能力供应了多种级别的控制和功耗节省。选择一个在不同功耗级别能实现多种待机状态的DSp。多电源可节省更多能耗。选择供应了能优化功耗使用并降低功耗的开发软件的DSp。工具应让开发人员轻松地动态改变芯片的电压和频率、管理电源状态，帮助他们评估和分析功耗信息。MCU消耗较少电流

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