氧化铝电气陶瓷件代理，质量有保障的氧化铝电气陶瓷件推荐， 自2009-08-05伊始，以诚信为纲，以质为保障，以客户为中心，成为东莞市砾石实业投资有限公司不断提升产品质量和服务水平的准则，为我们氧化铝电气陶瓷件的技术成熟，品质优越，价格合理，砾石实业在产品经营方面付出诸多心血，如今在绝缘材料领域已有较大名声，主营的氧化铝电气陶瓷件受到了广大工业陶瓷使用人群的一致好评。

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靶材的主要性能要求

纯度

纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。

杂质含量

靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。

密度

为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，通常要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率，还影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和强度使靶材能地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之一。

晶粒尺寸及晶粒尺寸分布

通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快；而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。

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